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sábado, 18 de abril de 2009

FABRICACION DE UN TRANSISTOR

En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso de fabricación de un transistor MOS (MOSFET).


No es la única forma de hacerlo, pero es un proceso típico:


1. Se parte de la oblea de material semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de óxido (zona rayada) que servirá como aislante.
3. Se deposita un dieléctrico como el nitruro (capa roja) que servirá como máscara, también se podía usar simplemente el óxido anterior como máscara, depende del grosor y de los procesos siguientes.
4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiación (capa negra), típicamente a la radiación luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las características de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de ayuda las máscaras hechas antes con herramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se podía haber hecho junto al anterior.
7. Implantación iónica a través del óxido.
8. Se crean las zonas que aislarán el dispositivo de otros que pueda haber cerca (zonas azules).
9. Se crece más óxido, con lo que éste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para conseguir un mejor aislamiento.
10. Eliminación del nitruro y parte del óxido.
11. Se hace crecer una fina capa de óxido de alta calidad que servirá de óxido de puerta al transistor.
12. Deposición de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitográficos análogos a los vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio será el contacto de puerta del transistor.
13. Atacado del óxido para crear ventanas donde se crearán las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio anterior servirá de máscara al óxido de puerta para no ser eliminado.
14. Implantación iónica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a hacer de máscara para proteger la zona del canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitográficos como los vistos antes se ataca parte del óxido.
18. Se deposita una capa metálica que servirá para conectar el dispositivo a otros.
19. Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar únicamente los contactos. El contacto de puerta no se muestra en la figura porque es posterior al plano que se muestra.



Una vez que se diseñan los transistores se hace el juego de máscaras de las metalizaciones que es la forma de conectar los transistores para formar estructuras más complicadas, como puertas lógicas.
En la siguiente figura se puede ver el juego de máscaras de una Puerta OR de dos entradas. El diseño es CMOS.


Layout de una puerta OR con el programa LASI.


Las líneas azules rayadas son metalizaciones
Las líneas rojas es polisilicio
Las zonas amarillo y verde con puntos son zonas P+ y N+ respectivamente
Las líneas azules sin relleno delimitan zonas N
Junto a cada transistor se especifican las dimensiones de su canal. El diseño cumple las reglas CN20.

La última fase en la fabricación es encapsularlo en el chip y soldar los pines.

FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS


Sala limpia de la NASA, utilizada en la fabricación de circuitos integrados.
La fabricación de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada fabricante de circuitos integrados tiene sus propias técnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las técnicas son parecidas.
Los dispositivos integrados pueden ser tanto analógicos como digitales, aunque todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio.

LIMITACIONES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS


Existen ciertos límites físicos y económicos al desarrollo de los circuitos integrados. Básicamente, son barreras que se van alejando al mejorar la tecnología, pero no desaparecen. Las principales son:

Disipación de potencia: Evacuación del calor

Los circuitos eléctricos disipan potencia. Cuando el número de componentes integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipación de esta potencia, también crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento del dispositivo. Además, en muchos casos es un sistema de realimentación positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, más calor producen, fenómeno que se suele llamar "embalamiento térmico" y, que si no se evita, llega a destruir el dispositivo.
Los amplificadores de audio y los reguladores de tensión son proclives a este fenómeno, por lo que suelen incorporar "protecciones térmicas".
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que más energía deben disipar. Para ello su cápsula contiene partes metálicas, en contacto con la parte inferior del chip, que sirven de conducto térmico para transferir el calor del chip al disipador o al ambiente. La reducción de resistividad térmica de este conducto, así como de las nuevas cápsulas de compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones con cápsulas más pequeñas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensión de alimentación y utilizando tecnologías de bajo consumo, como CMOS. Aun así en los circuitos con más densidad de integración y elevadas velocidades, la disipación es uno de los mayores problemas, llegándose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de criostatos. Precisamente la alta resistividad térmica del arseniuro de galio es su talón de Aquiles para realizar circuitos digitales con él.

Capacidades y autoinducciones parásitas:

Este efecto se refiere principalmente a las conexiones eléctricas entre el chip, la cápsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con pastillas más pequeñas se reduce la capacidad y la autoinducción de ellas. En los circuitos digitales excitadores de buses, generadores de reloj, etc, es importante mantener la impedancia de las líneas y, todavía más, en los circuitos de radio y de microondas.

Límites en los componentes:

Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de las de sus contrapartidas discretas.
Resistencias. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie. Por ello sólo se usan valores reducidos y en tecnologías MOS se eliminan casi totalmente.
Condensadores. Sólo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional uA741, el condensador de estabilización viene a ocupar un cuarto del chip.
Bobinas. Sólo se usan en circuitos de radiofrecuencia, siendo híbridos muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integración:

Durante el proceso de fabricación de los circuitos integrados se van acumulando los defectos, de modo que cierto número de componentes del circuito final no funcionan correctamente. Cuando el chip integra un número mayor de componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la proporción de chips funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias, por ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican más de los necesarios, de manera que se puede variar la interconexión final para obtener la organización especificada.